Chưa có sản phẩm trong giỏ hàng.
Trong bối cảnh ngành công nghiệp AI ngày càng coi trọng HBM như một thành phần không thể thiếu để đạt được bước tiến trong khả năng hoạt động, SK Hynix đã tiết lộ kế hoạch phát triển công nghệ bộ nhớ HBM4E tiên tiến vào năm 2026. HBM hiện đang đóng vai trò quan trọng trong việc cải thiện hiệu suất của các máy gia tốc AI hiện đại. Mới đây, tiêu chuẩn HBM3E đã được áp dụng trong các GPU AI mới như Blackwell B100 và Instinct MI300X, mang lại hiệu suất tăng đáng kể. Tuy nhiên, SK Hynix cho biết, đây mới chỉ là bước đầu tiên, với kế hoạch triển khai HBM4E rộng rãi trong vòng hai năm tới.
Kim Gwi-wook, người đứng đầu bộ phận công nghệ tiên tiến HBM của SK Hynix, trong một thông báo gần đây, đã tiết lộ rằng sự tiến bộ của HBM đang đạt đến những tầm cao mới. Trước đây, các thế hệ bộ nhớ thường được cập nhật sau khoảng hai năm, nhưng do nhu cầu ngày càng tăng của ngành, chu kỳ này đã được rút ngắn xuống còn một năm. Điều này chứng tỏ rằng SK Hynix đang thực sự lên kế hoạch ra mắt HBM4E vào năm 2026.
Đây là lần đầu tiên HBM4E được nhắc đến, không chỉ xác nhận sự tồn tại của tiêu chuẩn này mà còn tiết lộ những thông tin chi tiết về quy trình sản xuất. Băng thông của HBM4E được cho là cao hơn 1,4 lần so với thế hệ trước, tức là HBM4, và sẽ tiết kiệm điện năng hơn nhiều, mở ra cái nhìn ban đầu về những gì sẽ xảy ra với các bộ tăng tốc AI thế hệ tiếp theo.
Các phát triển xung quanh HBM4 đã được SK Hynix tiết lộ từ trước, khi công ty cho biết họ sẽ áp dụng kỹ thuật phát triển MR-MUF, nhằm mục đích tích hợp các chất bán dẫn logic và bộ nhớ vào một gói duy nhất. SK Hynix đã hợp tác với TSMC để đạt được mục tiêu này. Các báo cáo trong ngành cho rằng HBM4 sẽ đánh dấu một “thời điểm iPhone” cho phân khúc, thiết lập các tiêu chuẩn mới cho các thế hệ tiếp theo.
HBM4 là gì? HBM4 là thiết bị đầu tiên sử dụng công nghệ xử lý logic 12nm cho khuôn cơ bản, một sự phát triển hợp tác giữa các xưởng đúc và nhà cung cấp bộ nhớ, nhằm mục đích thúc đẩy công nghệ bộ nhớ tốc độ cao. HBM4E là thế hệ sau của HBM4, với hiệu suất được cải thiện đáng kể, cao hơn 1,4 lần so với thế hệ trước.
Bài viết gốc : Bộ nhớ HBM4E tiên tiến sẽ phát triển vào năm 2026 theo kế hoạch của SK Hynix
